質(zhì)量流量計(jì) | 氣相沉積 | 半導(dǎo)體
2025年3月21日
Bronkhorst
| 半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、醫(yī)療、汽車等領(lǐng)域，深刻改變了人們的生活方式。氣相沉積（包括CVD和PVD）是半導(dǎo)體制造中用于沉積薄膜的關(guān)鍵工藝，直接影響器件的性能和可靠性。質(zhì)量流量計(jì)用于精確控制反應(yīng)氣體的流量，確保薄膜沉積的均勻性和一致性。 |  |
工藝要求氣相沉積工藝對(duì)薄膜的厚度、成分和均勻性要求極高，工藝難點(diǎn)包括氣體流量的精確控制和反應(yīng)條件的穩(wěn)定性。質(zhì)量流量計(jì)通過實(shí)時(shí)監(jiān)測和調(diào)節(jié)氣體流量，確保工藝參數(shù)的精確控制，從而提高薄膜質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性。 |
重要議題
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在氣相沉積過程中，通常使用多臺(tái)質(zhì)量流量計(jì)分別控制不同的氣體或液體。例如，在CVD工藝中，一臺(tái)MFC控制硅烷（SiH4）流量，另一臺(tái)控制氮?dú)猓∟2）流量，還有一臺(tái)控制氧氣（O2）流量。通過精確控制這些氣體的流量，可以顯著提高沉積速率和薄膜均勻性。 通過使用質(zhì)量流量計(jì)，大大提高氣體流量控制的精確性，確保反應(yīng)氣體的流量精確控制，以實(shí)現(xiàn)薄膜的均勻沉積。通過實(shí)時(shí)監(jiān)控和調(diào)節(jié)氣體流量，維持工藝條件的穩(wěn)定性，減少批次間的差異。優(yōu)化氣體流量控制，提高沉積速率，同時(shí)減少材料浪費(fèi)和能耗。 |
