質量流量計 | 氣相沉積 | 半導體
2025年3月21日
Bronkhorst
| 半導體是現(xiàn)代電子技術的核心，廣泛應用于計算機、通信、醫(yī)療、汽車等領域，深刻改變了人們的生活方式。氣相沉積（包括CVD和PVD）是半導體制造中用于沉積薄膜的關鍵工藝，直接影響器件的性能和可靠性。質量流量計用于精確控制反應氣體的流量，確保薄膜沉積的均勻性和一致性。 |  |
工藝要求氣相沉積工藝對薄膜的厚度、成分和均勻性要求極高，工藝難點包括氣體流量的精確控制和反應條件的穩(wěn)定性。質量流量計通過實時監(jiān)測和調節(jié)氣體流量，確保工藝參數(shù)的精確控制，從而提高薄膜質量和工藝穩(wěn)定性。 |
重要議題
|
|
|
在氣相沉積過程中，通常使用多臺質量流量計分別控制不同的氣體或液體。例如，在CVD工藝中，一臺MFC控制硅烷（SiH4）流量，另一臺控制氮氣（N2）流量，還有一臺控制氧氣（O2）流量。通過精確控制這些氣體的流量，可以顯著提高沉積速率和薄膜均勻性。 通過使用質量流量計，大大提高氣體流量控制的精確性，確保反應氣體的流量精確控制，以實現(xiàn)薄膜的均勻沉積。通過實時監(jiān)控和調節(jié)氣體流量，維持工藝條件的穩(wěn)定性，減少批次間的差異。優(yōu)化氣體流量控制，提高沉積速率，同時減少材料浪費和能耗。 |
